磁阻接近開(kāi)關(guān)基于insb磁阻效應(yīng)原理。銻化銦磁阻的主要成分是電極、引腳、磁電阻元件mr1和mr2（電阻大致相等）、永磁體、絕緣基板和金屬外殼（屏蔽外部干擾和保護(hù)磁電阻元件）。內(nèi)部填充環(huán)氧樹(shù)脂，三個(gè)插腳分別與電源、地線(xiàn)、輸出端連接。永磁體為兩個(gè)磁阻元件提供偏置磁場(chǎng)，使磁敏電阻的工作特性移到電阻-磁場(chǎng)曲線(xiàn)的線(xiàn)性范圍內(nèi)，提高磁敏電阻的靈敏度。由于偏置磁場(chǎng)使磁敏電阻在相同的磁場(chǎng)環(huán)境下，當(dāng)非鐵磁性物體接近時(shí)，mr1和mr2的電阻值基本相同。當(dāng)鐵磁性物體通過(guò)磁阻時(shí)，永磁體的磁場(chǎng)分布發(fā)生變化。當(dāng)磁電阻元件mr1通過(guò)時(shí)，通過(guò)mr1的磁感應(yīng)強(qiáng)度增大，而通過(guò)mr2的磁感應(yīng)強(qiáng)度減小，因此mr1的電阻值增大，mr2的電阻值減小。相反，當(dāng)鐵磁性物體通過(guò)mr2時(shí)，mr2的電阻值增大，mr1的電阻值減小。在直流供電的情況下，兩個(gè)磁阻元件的電阻值的變化會(huì)引起磁阻輸出電壓的變化。