霍爾接近開關，當帶電流的金屬或半導體片層垂直放置在磁場中時，片層兩端會產生電位差。這種現象被稱為霍爾效應。兩端的電位差稱為霍爾勢u，其表達式為u=kib/d，其中k為霍爾系數，I為通過薄板的電流，B為外加磁場的磁感應強度(洛倫茲力)，d為薄板的厚度。

可以看出，霍爾效應的靈敏度與外加磁場的磁感應強度成正比?；魻栐儆谟性创烹娹D換設備，是一種磁傳感器。它以霍爾效應原理為基礎，采用一體化封裝裝配工藝。在實際應用中，磁性輸入信號可以很容易地轉換為電信號。同時在工業應用中具有操作簡單、可靠性高的要求?；魻栭_關就是利用霍爾元件的這一特性制成的。其輸入以磁感應強度B為特征，當B的值達到一定電平(如B1)時，內部觸發霍爾開關被反轉，輸出電平狀態霍爾開關也被反轉。輸出端一般采用晶體管輸出，類似于NPN、PNP、常開、常閉、鎖存式(雙極)及其他傳感器的雙信號輸出?；魻栭_關具有無沖擊、功耗低、使用壽命長、響應頻率高的特點。它集成了環氧樹脂密封和填充，所以它可以在各種惡劣的環境中可靠地工作。當磁性物體靠近霍爾開關時，開關檢測面上的霍爾元件會產生霍爾效應，開關內部電路狀態會發生變化，從而識別附近是否存在磁性物體，進而控制開關的通斷。接近開關檢測對象須是磁性物體。